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カーブトレーシング機能を備えた高度な半導体分析装置-DCA75

¥46,200 税込

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DCA Proは、グラフィックディスプレイ、USB通信、PCソフトウェア、強化されたコンポーネント識別ライブラリを備えた先進的な新設計を採用しています。

・スタンドアロンまたは PC で使用可能
・自動コンポーネント タイプ識別
・自動ピン配置識別
・保護ダイオードや抵抗シャントなどの特殊機能識別
・バイポーラ トランジスタ: ゲインとリーク電流の測定、シリコンとゲルマニウムの検出
・エンハンスメント モード MOSFET のゲートしきい値測定
・ダイオード、LED、トランジスタのベース エミッタ接合の半導体順方向電圧測定
・自動および手動電源オフ

S/C への最大ピーク テスト電流: 12 mA
O/S 間の最大ピーク テスト電圧: 12 V
ダイオード仕様:
 テスト電流: 5.0 mA
 電圧精度: -2% -20 mV ~ +2% +20 mV
 LED 識別用 Vf: 1.50 V ~ 4.00 V
 短絡しきい値: 10Ω
SCR/トライアック仕様:
 ゲート テスト電流: 4.5 mA
 負荷テスト電流: 5.0 mA
トランジスタ仕様:
 ゲイン範囲 (Hfe): 4 ~ 65000
 ゲイン精度: +/- 3 % +/- 5 Hfe
 Vceo テスト電圧: 2.0 V ~ 3.0 V
 Vbe 精度: -2 % -20 mV ~ +2 % +20 mV
 ダーリントン (シャント) 用 VBE: 0.95 V ~ 1.80 V (0.75 V - 1.80 V)
 ベース-エミッタ シャントしきい値: 50 kΩ - 70 kΩ
 BJT コレクタ テスト電流: 2.45 mA - 2.55 mA
 BJT 許容リーク: 0.7 mA
MOSFET:
 ゲートしきい値範囲: 0.1 V - 5.0 V
 しきい値精度: -2 % -20 mV ~ +2 % +20 mV
 ドレイン テスト電流: 2.45 mA - 2.55 mA
 ゲート抵抗: 8 kΩ
 デプレッション ドレイン テスト電流: 4.5 mA
 JFET ドレイン-ソース テスト電流: 0.5 mA - 5.5 mA
寸法:約103x70x20mm
重量:約98g
PEAK
53533

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